Енергетичний спектр оптичних фононів у плоскій багатошаровій резонансно-тунельній наноструктурі

Abstract

У роботі у рамках моделі діелектричного континууму виконано розрахунок енергетичного спектра обмежених та інтерфейсних оптичних фононів у плоскій багатошаровій резонансно-тунельній наноструктурі на основі гетеропереходів GaAs/AlAs. Показано, що енергії обмежених оптичних фононів у даній напівпровідниковій наногетеросистемі співпадають з енергіями повздовжніх поляризаційних коливань в окремих масивних кристалах, з яких утворена відповідна наносистема. Досліджені залежності енергій інтерфейсних оптичних фононів від їх квазіімпульсу та геометричних розмірів наношарів GaAs та AlAs.