DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10116| Назва: | Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій |
| Інші назви: | Тensoresistance of n-Si and n-Ge Multi-Valley Semiconductors Over a Wide Range of Concentrations |
| Автори: | Гайдар, Галина Петрівна Баранський, Петро Іванович Коломоєць, В. В. |
| Ключові слова: | кремній германій тензоопір направлена пружна деформація |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Гайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 58-62. |
| Короткий огляд (реферат): | У роботі при Т = 77,4 К досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій 1014 £ ne £ 2 × 1019 cм -3 і механічних напружень 0 £ Х £ 1,5 ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Приведено фізичне обґрунтування одержаних результатів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10116 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1501-08.pdf | 173.71 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.