Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій

Гайдар, Галина Петрівна; Баранський, Петро Іванович; Коломоєць, В. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10116

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Гайдар, Галина Петрівна	-
dc.contributor.author	Баранський, Петро Іванович	-
dc.contributor.author	Коломоєць, В. В.	-
dc.date.accessioned	2021-06-08T12:29:12Z	-
dc.date.available	2021-06-08T12:29:12Z	-
dc.date.issued	2014	-
dc.identifier.citation	Гайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 58-62.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/10116	-
dc.description.abstract	У роботі при Т = 77,4 К досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій 1014 £ ne £ 2 × 1019 cм -3 і механічних напружень 0 £ Х £ 1,5 ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Приведено фізичне обґрунтування одержаних результатів.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"	uk_UA
dc.subject	кремній	uk_UA
dc.subject	германій	uk_UA
dc.subject	тензоопір	uk_UA
dc.subject	направлена пружна деформація	uk_UA
dc.title	Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій	uk_UA
dc.title.alternative	Тensoresistance of n-Si and n-Ge Multi-Valley Semiconductors Over a Wide Range of Concentrations	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т. 15, № 1

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
!1501-08.pdf		173.71 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets