1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 1
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10123
Назва: Impedance of Sі Wires at Metal-Insulator Transition
Автори: Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Koretskyy, R.
Nichkalo, S.
Ключові слова: magnetoresistance
impedance spectroscopy
localization radius
Дата публікації: 2014
Видавництво: Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
Бібліографічний опис: Druzhinin A. A. Impedance of Sі Wires at Metal-Insulator Transition / A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. N. Khoverko1, R. N. Koretskyy, S. I. Nichkalo // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 81-84.
Короткий огляд (реферат): Impedance spectroscopy for Si wires with dopant concentrations near the metal-insulator transition in the low temperature range 4.2 - 70 K and frequencies 0.01 - 250 kHz has been conducted. The studies allow us to obtain parameters of hopping conduction (localization radius, density of localized states and average length of carrier jumping) and compare them with theoretical data.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10123
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1501-12.pdf280.82 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.