Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10177
Title: Частоти нормальних коливань адсорбційних комплексів молекулярного кисню на грані Si(111), розраховані в кластерному наближенні
Other Titles: Frequencies of Normal Vibrations Adsorptions Complexes of Oxygen on Silicon (111) Face, Calculation within a Cluster Approach
Authors: Теребінська, Марія Іванівна
Keywords: поверхня кремнію
адсорбція кисню
інфрачервоні спектри
кластерний підхід
Issue Date: 2014
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Теребінська М. І. Частоти нормальних коливань адсорбційних комплексів молекулярного кисню на грані Si(111), розраховані в кластерному наближенні / М. І. Теребінська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 258-263.
Abstract: Методом теорії функціоналу густини (B3LYP, 6-31G**) в кластерному наближенні розглянуто будову молекулярного адсорбційного комплекса молекули О2 на грані Si(111) та продуктів його подальшого перетворення аж до утворення SiO4 – тетраедра. Проведено порівняння теоретично розрахованих ІЧ-спектрів адсорбційних структур з відомими з літератури експериментальними даними.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/10177
Appears in Collections:Т. 15, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1502-04.pdf529.44 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.