Моделювання явища самодифузії у монокристалах фосфіду галію

Abstract

Розглянуто процеси самодифузії атомів P та Ga методом молекулярної динаміки. Показано, що міжвузловий атом Р розпочинає свій рух по кристалу при Т = 1 К, Ga – при Т = 100 К. Перехід від міжвузлового механізму дифузії до вакансійного для атома фосфору розпочинається при 900 К, для галію – при температурі 500 К. Розраховано коефіцієнт дифузії для атомів Рi та Gai .