1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2016
  6. Т. 17, № 2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1025
Title: Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем
Other Titles: Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Бойко, Сергій І.
Keywords: біполярний транзистор
гетероперехід
арсенід галію
Issue Date: 2016
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П.Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 2. - С. 281-285.
Abstract: В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см2. Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1025
Appears in Collections:Т. 17, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1430-5862-1-PB.pdf166.13 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.