Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем

Новосядлий, Степан Петрович; Бойко, Сергій І.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1025

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Новосядлий, Степан Петрович	-
dc.contributor.author	Бойко, Сергій І.	-
dc.date.accessioned	2019-12-11T09:08:31Z	-
dc.date.available	2019-12-11T09:08:31Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.citation	Новосядлий С. П.Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 2. - С. 281-285.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/1025	-
dc.description.abstract	В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см2. Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"	uk_UA
dc.subject	біполярний транзистор	uk_UA
dc.subject	гетероперехід	uk_UA
dc.subject	арсенід галію	uk_UA
dc.title	Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем	uk_UA
dc.title.alternative	Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т. 17, № 2

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
1430-5862-1-PB.pdf		166.13 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets