1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2016
  6. Т. 17, № 2
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1025
Назва: Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем
Інші назви: Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Бойко, Сергій І.
Ключові слова: біполярний транзистор
гетероперехід
арсенід галію
Дата публікації: 2016
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П.Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 2. - С. 281-285.
Короткий огляд (реферат): В даній статті проведено аналіз швидкодії біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу в якості емітерного переходу дозволяє радикально підвищити його швидкодію. Чисельне моделювання швидкодії ГБТ в режимі кільцевого генератора (КГ) як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1х2 мкм може бути знижений до рівня 8 пс при максимальному струму 105 А/см2. Час затримки 24 пс при потужності 9,1 мВт і 17 пс при потужності 40 мВт отримано для ГБТ як з одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1025
Розташовується у зібраннях:Т. 17, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1430-5862-1-PB.pdf166.13 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.