DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10308| Title: | Компенсаційний ефект в кінетиці хімічного травлення твердих розчинів Cd1-xMnxTe |
| Other Titles: | Compensation Effect in the Kinetics of the Cd1-xMnxTe Solid Solution Chemical Etching |
| Authors: | Денисюк, Роман Олександрович |
| Keywords: | кадмій телурид тверді розчини енергія активації рівняння Арреніуса компенсаційний ефект |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Денисюк Р. О. Компенсаційний ефект в кінетиці хімічного травлення твердих розчинів Cd1-xMnxTe / Р. О. Денисюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 344-347. |
| Abstract: | Досліджено кінетику хіміко-динамічного полірування монокристалів CdTe та Cd1-xMnxTe (0,3< х <0,5) травниками систем І2–розчинник та НІ – Н2О2 – органічна кислота. З отриманих температурних залежностей визначено уявні енергії активації взаємодії досліджуваних напівпровідників із вказаними розчинами. Встановлено існування компенсаційної залежності в процесі хімічного полірування та визначено вплив складу розчинника на цю залежність. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10308 |
| Appears in Collections: | Т. 15, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1502-20.pdf | 126.56 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.