Мої наукові контакти з В.Є. Лашкарьовим-першовідкривачем р-n переходу

Abstract

В.Є. Лашкарьов (1903 – 1973 р.р.) – видатний учений України ХХ століття в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати отримані в галузі досліджень поверхні методом дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об’єму та поверхні напівпровідників, з вивчення в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник (CuO) . відкрив барьєрну структуру р-п перехід і дав фізично правильне пояснення її унікальних випростуюючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР ,с.Фіз.5 , № 4-5 , сс. 442-446. 1941рік). Згодом (1947 р.) саме така структура з двох суміжних точкових контактів- зондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією). Структури з р-n переходом є до цього часу базовими для електронного приладобудування.