DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1039Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Тур, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Павловський, Юрій Вікторович | - |
| dc.contributor.author | Вірт, Ігор Степанович | - |
| dc.date.accessioned | 2019-12-13T08:21:36Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-13T08:21:36Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Тур Ю. В. Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана / Ю. В. Тур, Ю. В. Павловський, І. С. Вірт // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 306-310 | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/1039 | - |
| dc.description.abstract | Для аналізу вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників, використано імпульсний метод Хармана Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності тонких напівпровідникових плівок у інтервалі температур (300÷500)К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола. Детально описано теорію методу, застосування його у методиці вимірювань. Досліджено залежності електричних величин, зокрема напруги - V(t), від часу при різних значеннях імпульсів струму для тонких плівок PbTe<Tl> вирощених імпульсним лазерним осадженням. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.subject | тонкі плівки | uk_UA |
| dc.subject | телурид свинцю | uk_UA |
| dc.subject | термоелектрична добротність | uk_UA |
| dc.subject | метод Хармана | uk_UA |
| dc.subject | імпульсно-лазерне осадження | uk_UA |
| dc.title | Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана | uk_UA |
| dc.title.alternative | Measurement of Thermoelectric Parameters of Thin-Film Semiconductor Materials Using the Harman Method | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т.20, №3 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3974-11745-1-PB.pdf | 775.94 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.