DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1040Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
| dc.contributor.author | Бенько, Тарас Григорович | - |
| dc.contributor.author | Когут, Ігор Тимофійович | - |
| dc.date.accessioned | 2019-12-13T08:54:06Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-13T08:54:06Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань / С. П. Новосядлий, Т. Г. Бенько, І. Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 311-317 | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/1040 | - |
| dc.description.abstract | В даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатногодля локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змінтеплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щобусунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур наповерхні кремнієвої підкладки. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.subject | арсенід галію | uk_UA |
| dc.subject | польовий транзистор | uk_UA |
| dc.subject | тепловий опір | uk_UA |
| dc.subject | електрофізичне діагностування | uk_UA |
| dc.title | Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань | uk_UA |
| dc.title.alternative | Features of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applications | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т.20, №3 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3969-11747-1-PB.pdf | 675.72 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.