Термодинаміка і кристалохімія дефектної підсистеми кристалів цинк телуриду ZnTe (Огляд)

Abstract

На основі використання квантово-хімічних методів визначено характеристичні функції кристалів цинк телуриду: енергії утворення ΔE, ентальпії утворення ΔH, ентропії ΔS, енергії Гіббса ΔG та теплоємності при сталому тиску Cp та сталому об’ємі Cv. Отримано аналітичні вирази для їх температурних залежностей. Методом термодинамічних потенціалів та квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів досліджено дефектну підсистему кристалів ZnTe в умовах двотемпературного відпалу у парі компонентів. Розраховано концентрації точкових дефектів та вільних носіїв заряду в залежності від температури відпалу Т та парціального тиску пари компонентів РZn, PTe. Знайдено значення констант квазіхімічних реакцій утворення дефектів у цинк телуриді.