Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1047
Title: | Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену |
Other Titles: | The Density of MoSi2 Electron States for the Amorphous Film |
Authors: | Стецун, Аполлінарій Іванович |
Keywords: | аморфна плівка дисиліцидмолібдену |
Issue Date: | 2016 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Стецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 3. - С. 372-374. |
Abstract: | Дана робота присвячена розрахунку густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1047 |
Appears in Collections: | Т. 17, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1442-5874-1-PB.pdf | 116.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.