Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1047
Title: Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену
Other Titles: The Density of MoSi2 Electron States for the Amorphous Film
Authors: Стецун, Аполлінарій Іванович
Keywords: аморфна плівка
дисиліцидмолібдену
Issue Date: 2016
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Стецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 3. - С. 372-374.
Abstract: Дана робота присвячена розрахунку густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1047
Appears in Collections:Т. 17, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1442-5874-1-PB.pdf116.7 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.