Моделюння дифузійного руху наночастинок In у кристалі CdTe при лазерно-індукованому легуванні

Abstract

Для вирішення проблеми омічного контакту між поверхнею кристалів та металевим електродом у процесі виготовлення рентгенівського / γ-детектора цей документ використовує лазер для зондування процесу легування кристалів In / CdTe у різних середовищах. У цьому експерименті метод подорожнього нагрівача (THM) використовується для отримання кристалів CdTe (111), які відповідають вимогам (ρ> 109Ω ∙ см). Матеріали In та Au покриті відповідно поверхнею зразка кристала методом вакуумного термічного випаровування для отримання зразка кристала, що відповідає вимогам. Високостійкий кристал p-типу CdTe відносно товстої плівки In опромінюється наносекундними лазерними імпульсами, In-плівка використовується як джерело допінгу n-типу та як електрод після лазерного опромінення.