DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10763| Назва: | Крайове поглинання тонких плівок ZnGa2O4 |
| Інші назви: | Edge Absorption of Thin Films ZnGa2O4 |
| Автори: | Бордун, Олег Михайлович Бігдай, В. Г. Кухарський, Ігор Йосифович |
| Ключові слова: | галат цинку тонкі плівки спектри катодолюмінісценція |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Бордун О. М. Крайове поглинання тонких плівок ZnGa2O4 / О. М. Бордун, В. Г. Бігдай, І. Й. Кухарський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 92-96. |
| Короткий огляд (реферат): | Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок ZnGa2O4, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони Eg зростає від 4,81 до 4,98 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках ZnGa2O4 після відпалу плівок та після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відновлення у водні, становить 8,16´1018 см–3 , що характерне для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках ZnGa2O4 після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10763 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1401-13.pdf | 145.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.