Крайове поглинання тонких плівок ZnGa2O4

Abstract

Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок ZnGa2O4, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони Eg зростає від 4,81 до 4,98 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках ZnGa2O4 після відпалу плівок та після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відновлення у водні, становить 8,16´1018 см–3 , що характерне для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках ZnGa2O4 після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса.