DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1079| Назва: | Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 |
| Інші назви: | Electrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Films |
| Автори: | Грицище, Я. В. Лоя, Василь Юрійович Козак, Мирослав Іванович Чичура, Ігор Іванович Соломон, Андрій Михайлович Красилинець, Василь Миколайович |
| Ключові слова: | халькогенідні стекла енергія активації модифікація тонкі плівки |
| Дата публікації: | 2016 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Грицише Я. В. Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 / Я. В. Грицище, В. Ю. Лоя, М. І. Козак, І. І. Чичура, А. М. Соломон, В. М. Красилинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 511-514. |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1079 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 17, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1233-5958-1-PB.pdf | 187.95 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.