Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10800
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКрегель, О. П.-
dc.contributor.authorТурко, Борис Ігорович-
dc.contributor.authorПанасюк, Мирон Романович-
dc.contributor.authorДубов, Юрій Георгійович-
dc.contributor.authorКапустяник, Володимир Богданович-
dc.contributor.authorЛубочкова, Г. О.-
dc.date.accessioned2021-08-30T12:27:44Z-
dc.date.available2021-08-30T12:27:44Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationКрегель О. П. Фотоелектричні характеристики гетероструктур ZnO/CuO / О. П. Крегель, Б. І. Турко, М. Р. Панасюк, Ю. Г. Дубов, В. Б. Капустяник, Г. О. Лубочкова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 210-212.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10800-
dc.description.abstractМетодом високочастотного магнетронного розпилення отримано гетероперехід n-ZnO/p-СuO. Вперше досліджено фоточутливість такої гетероструктури у діапазоні довжин хвиль від 600 до 2000 нм. Встановлено, що фотодіод має максимальну чутливість на довжинах хвиль 900-1100 нм. Крім цього, виявлено помітну чутливість в області довжин хвиль 1400 - 1600 нм, яку було пов’язано з фотодесорбцією кисню з верхнього шару ZnO. Виготовлений на основі структури n-ZnO/p-СuO фотодіод може бути використаний для детектування фотонів інфрачервоної ділянки спектру.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectоксид цинкуuk_UA
dc.subjectгетероструктуриuk_UA
dc.subjectфотоелектричні характеристикиuk_UA
dc.titleФотоелектричні характеристики гетероструктур ZnO/CuOuk_UA
dc.title.alternativePhotoelectric Properties of ZnO / CuO Heterostructuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 14, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1401-33.pdf153.25 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.