DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10801| Назва: | Релаксація деформацій у гетероструктурах Si/Ge з квантовими точками |
| Інші назви: | Strain Relaxation in Si/Ge Heterostructures with Quantum Dots |
| Автори: | Курилюк, Василь Васильович Коротченков, Олег Олександрович Надточій, Андрій Борисович |
| Ключові слова: | квантова точка напруження релаксація фото-ЕРС |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Курилюк В. В. Релаксація деформацій у гетероструктурах Si/Ge з квантовими точками / В. В. Курилюк, О. О. Коротченков, А. Б. Надточій // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 213-217. |
| Короткий огляд (реферат): | З використанням методу скінченних елементів чисельно досліджено вплив тонкого шару SiО2, розташованого між підкладкою Si і Ge квантовими точками на релаксації напружень в підкладці. Також аналізуються супутні зміни зонної структури поблизу границі розділу. Експериментальні розподіли поверхневої фото-е.р.с. по поверхні зразків дозволяють виявити загальну структуру просторового розподілу фотогенерованих електронів і дірок поблизу границі розділу, що має відношення до розподілу центрів захоплення. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10801 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1401-34.pdf | 216.09 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.