Релаксація деформацій у гетероструктурах Si/Ge з квантовими точками

Abstract

З використанням методу скінченних елементів чисельно досліджено вплив тонкого шару SiО2, розташованого між підкладкою Si і Ge квантовими точками на релаксації напружень в підкладці. Також аналізуються супутні зміни зонної структури поблизу границі розділу. Експериментальні розподіли поверхневої фото-е.р.с. по поверхні зразків дозволяють виявити загальну структуру просторового розподілу фотогенерованих електронів і дірок поблизу границі розділу, що має відношення до розподілу центрів захоплення.