Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10869

Title:	Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю
Other Titles:	The Density of Electron States of Nickel Silicide Amorphous Film
Authors:	Стецун, Аполлінарій Іванович
Keywords:	електронні стани тонка плівка
Issue Date:	2013
Publisher:	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation:	Стецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 553-554.
Abstract:	Розрахована густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d - електронами нікелю, p - електронами кремнію та s - електронами нікелю.
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/10869
Appears in Collections:	Т. 14, № 3

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
!1403-16.pdf		96.72 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI