DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10869| Назва: | Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю |
| Інші назви: | The Density of Electron States of Nickel Silicide Amorphous Film |
| Автори: | Стецун, Аполлінарій Іванович |
| Ключові слова: | електронні стани тонка плівка |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Стецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 553-554. |
| Короткий огляд (реферат): | Розрахована густина електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d - електронами нікелю, p - електронами кремнію та s - електронами нікелю. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10869 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1403-16.pdf | 96.72 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.