Центри забарвлення в кристалах CаF2-Nа і CаF2-Lі. ІІ. Результати теоретичних досліджень

Abstract

В одновимірній моделі іонного кристала розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих лужними металлами: w1 – ймовірність утворення центрів забарвлення в гратці кристала; w2 – ймовірність висвітлювальної дії радіації. Показано, що гранична концентрація центрів забарвлення в кристалі при низьких температурах (T < 200 K) С1 = 1/2×w1/(w1+w2), а при температурах T > 250 K С2 = 1/4×С, де С – концентрація домішки в кристалі. Встановлено залежність концентрації центрів забарвлення від вмісту легуючих добавок в кристалі і від структури центрів забарвлення. Результати розрахунків узгоджуються з експериментальними даними.