Процеси самоорганізації в тонкоплівкових As40Se60 наношарах при нормальних умовах та при дії лазерного опромінення

Abstract

Методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджена структура ближнього порядку приповерхневих наношарів тонких плівок а-As40Se60 при нормальних умовах та її зміни під дією лазерного опромінення з енергією фотонів, близькою до ширини забороненої зони. Проаналізовані форма і енергетичне положення фотоемісійних піків As 3d та Se 3d аморфних та опромінених лазером плівкок аAs40Se60. Виявлені і описані відмінності у інтенсивності компонент піків, стимульовані лазерним опроміненням. Розраховані відносні вклади атомів As і Se в As 3d та Se 3d спектри, їх структурна природа і обчислена композиція поверхневих наношарів. Запропонована атомарна модель, що описує стимульовані процеси самоорганізації в поверхневих наношарах плівок As40Se60.