Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1146
Назва: Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів
Інші назви: Influence of Laser Radiation on Optical Properties of Semiconductor Materials
Автори: Генцарь, Петро Олексійович
Левицький, Сергій Миколайович
Ключові слова: пропускання
відбивання
лазерне опромінення
n-Si(100)
n-GaAs (100)
Ge1-xSix
Дата публікації: 2019
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Генцарь П. О. Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів / П. О. Генцарь, С. М. Левицький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 384-390.
Короткий огляд (реферат): В даній роботі поміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs (100); твердих розчинів Ge1-хSiх (х=0,85) в діапазоні (0,2 – 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1146
Розташовується у зібраннях:Т. 20, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3950-12652-1-PB.pdf993.54 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.