Дослідження електронної провідності монокристалів PbI2:Hf

Abstract

Проведено дослідження електронно-діркової складової провідності монокристалів PbI2, легованих Hf(0.2 мас. %) з використанням методу поляризаційної комірки Вагнера. Проаналізовано вплив легуючої домішки Hfна характер і параметри електронної провідності дийодиду свинцю.

На основі одержаних струмопотенціальних залежностей встановлено р-тип провідності монокристалу PbI2:Hf. Визначено величини діркової провідності (sро) у досліджуваному інтервалі температур, за якими побудовано температурну залежність. Виявлено закономірність збільшення величини sро монокристалу PbI2:Hf із підвищенням температури. Проведено порівняльний аналіз результатів дослідження електронно-діркової складової провідності PbI2 і PbI2:Hf, з якого встановлено зменшення енергії активації sро з 0.47 еВ до 0.32 еВ при легуванні гафнієм. Зроблено висновок про виникнення нових домішкових акцепторних рівнів, розташованих на відстані 0.64 еВ від стелі валентної зони, обумовлених наявністю домішки Hf у кристалах PbІ2.