Дослідження кутового спектру розсіяних іонів інертного газу з поверхні InGaP (001)

Abstract

У роботі методом комп’ютерного моделювання проведено дослідження розсіювання низькоенергетичних іонів на очищеному багатокомпонентному монокристалі InGaP (001) <110> в умовах бомбардування іонами, здійснено аналіз та отримано нові дані. Розроблено та створено ефективні оригінальні алгоритми та комп'ютерні коди вищезгаданих процесів іонного впливу. Встановлено зв’язок між просторовими змінними розсіяного пучка (переважно азимутальними кутовими спектрами) і типом іонів. Показано кореляцію між фокусуючими властивостями поверхневого напівканалу з типом бомбардуючих іонів при різному куті падіння. Показано, що зміни типу атомів напівканалу призводять до зміни фокусувальних властивостей поверхневих напівканалів.