Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/12123
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАхмед, Х.-
dc.contributor.authorХашим, А.-
dc.date.accessioned2022-04-06T10:08:39Z-
dc.date.available2022-04-06T10:08:39Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationАхмед Х. Налаштування оптичних, електронних та теплових характеристик твердотільних структур Si3N4/PVA/PEO для електронних пристроїв / Х. Ахмед, А. Хашим // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 1. - С. 67-71.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.23.1.67-71-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/12123-
dc.description.abstractУ роботі розглядаються нові структури PVA/PEO, леговані Si3N4, придатні для різних оптичних, електронних, фотонних та електричних застосуваннях із відмінними характеристиками, які включають низьку вартість, високу корозійну стійкість, легку вагу та добрі оптичні, теплові та електронні властивості. Структури Si3N4/PVA/PEO оптимізовані та ефективно змодельовані за допомогою праймера B3LYP / LanL2DZ. Досліджено стабільність структури, оптичні, теплові та електронні властивості Si3N4/PVA/PEO. Отримані результати для структур PVA/PEO/Si3N4, можуть бути використані для різноманітних оптоелектронних пристроїв із низькою вартістю та високою гнучкістю.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectнітрид кремніюuk_UA
dc.subjectзаборонена зонаuk_UA
dc.subjectелектронні властивостіuk_UA
dc.subjectприладиuk_UA
dc.titleНалаштування оптичних, електронних та теплових характеристик твердотільних структур Si3N4/PVA/PEO для електронних пристроївuk_UA
dc.title.alternativeTuning the Optical, Electronic and Thermal Characteristics of Si3N4/PVA/PEO Solid State Structures for Electronics Devicesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 23, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5202-Текст статті-15326-1-10-20220206.pdf747.34 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.