Низькотемпературне осадження плівок Cd1-xZnxTe лазерним розпорошенням та їх фізичні властивості

Abstract

Плівки CdZnTe, вирощені методом модульованого ІЧ-лазерного осадження при температурі підкладок Тsub ≤ 1200C з відповідних джерел на орієнтованих монокристалічних підкладках Si, GaAs, InSb в однакових технологічних умовах і в одному технологічному циклі. Досліджувалися морфологія поверхні та спектри низькотемпературної фотолюмінесценції (Т=4.2К) в діапазоні енергій від 1,70 до 1,30 еВ. Спектри люмінесценції проаналізовано і представлено з трьох різних енергетичних областей: від 1,70 еВ до 1,60 еВ з емісією екситонів, від 1,60 еВ до 1,55 еВ переходами донор-акцептор (DAP) та областю А –центрів від 1,55 до 1,40 еВ. Наявність в спектрах низькотемпературної фотолюмінесценції смуг вільного екситону, екситонів на нейтральному акцепторі та нейтральному донорі і їх фононних повторень на плівках CdZnTe/InSb засвідчує високу структурну досконалість, притаманну матеріалам детекторної якості, зі складом, відповідним джерелу CdZnTe.