1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2022
  6. Т. 23, № 1
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/12148
Назва: Кристалічна структура La3Pb0.1Ga1.6S7 та Pr3Pb0.1Ga1.6S7
Інші назви: The Crystal Structure of La3Pb0.1Ga1.6S7 and Pr3Pb0.1Ga1.6S7 Compounds
Автори: Блашко, Н. М.
Смітюх, Олександр Вікторович
Марчук, Олег Васильович
Ключові слова: кристалічна структура
рентгенівський метод порошку
халькогеніди рідкісноземельних елементів
Дата публікації: 2022
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Блашко Н. М. Кристалічна структура La3Pb0.1Ga1.6S7 та Pr3Pb0.1Ga1.6S7 / Н. М. Блашко, О. В. Смітюх, О. В. Марчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 1. - С. 96-100.
Короткий огляд (реферат): Кристалічна структура сполук La3Pb0.1Ga1.6S7 та Pr3Pb0.1Ga1.6S7 вивчена рентгенівським методом порошку. Зразки для аналізу отримані методом твердофазних реакцій між вихідними компонентами за температури 1370 К. Отримані сполуки кристалізуються в структурному типі La3CuSiS7, просторова група P63 з наступними параметрами елементарної комірки: a = 1.01902(3) нм, c = 0.60661(2) нм, RI = 0.0673, RP = 0.1546 (для La3Pb0.1Ga1.6S7) і a = 1.00034(3) нм, c = 0.60587(3) нм, RI = 0.0847, RP = 0.1623 (для Pr3Pb0.1Ga1.6S7). Кристалічна структура сполук описана в гексагональній системі, в якій атоми La(Pr) є центровані в тригональних призмах з одним додатковим атомом. Атоми статистичної суміші M1(0.600 Ga + 0.090 Pb) and M2 (0.59(1) Ga + 0.095(7) Pb) локалізовані практично в октаедричним порожнинах. Атоми Ga займають тетраедри, що утворені атомами Сульфуру. Асиметрична структура вивчених сполук вказує на їхні нелінійно-оптичні властивості. Атоми Pb, що фактично введені в структуру La3Ga1.67S(Se)7, створюють значну ймовірність зростання іонної складової зв’язків, що, в свою чергу, сприяє покращенню термоелектричних властивостей.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/12148
Розташовується у зібраннях:Т. 23, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5148-Текст статті-15603-1-10-20220309 (1).pdf464.51 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.