Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/12959
Назва: | Дослідження термоелектричного матеріалу на основі твердого розчину Lu1-xZrxNiSb. II. Моделювання характеристик |
Інші назви: | Investigation of thermoelectric material based on Lu1-xZrxNiSb solid solution. II. Modeling of characteristics |
Автори: | Ромака, Володимир Афанасійович Стадник, Юрій Володимирович Ромака, Любов Петрівна Ромака, Віталій Володимирович Демченко, Павло Юрієвич Пашкевич, Володимир Зеновійович Горинь, Андрій Маркіянович |
Ключові слова: | напівпровідник електропровідність рівень Фермі коефіцієнт термо-ерс |
Дата публікації: | 2022 |
Видавництво: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Бібліографічний опис: | Ромака В. А. Дослідження термоелектричного матеріалу на основі твердого розчину Lu1-xZrxNiSb. II. Моделювання характеристик / В. А. Ромака, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, В. В. Ромака, П. Ю. Демченко, В. З. Пашкевич, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 3. - С. 497-507. |
Короткий огляд (реферат): | Методами KKR (пакет програм AkaiKKR) та FLAPW (пакет програм Elk) проведено моделювання структурних, термодинамічних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Lu1-xZrxNiSb. Показано, що у структурі сполуки LuNiSb присутні дефекти акцепторної природи як результат наявності вакансій у позиціях 4а та 4с атомів Lu та Ni відповідно, що генерує у забороненій зоні εg два акцепторні рівні eAVac 4a та eAVac 4c. При уведенні до структури LuNiSb атомів Zr шляхом заміщення у позиції 4а атомів Lu відбувається зайняття атомами Zr вакансій у цій позиції, що збільшує період елементарної комірки а(х) та ліквідує дефекти акцепторної природи і відповідні акцепторні рівні eAVac 4a. За повного заповнення вакансій відбувається витіснення атомів Lu, що зменшує значення періоду комірки та генерує дефекти донорної природи і донорні рівні eD4a. При цьому атоми Ni повертаються у позицію 4с, що збільшує значення а(х) та ліквідує дефекти акцепторної природи і відповідні акцепторні рівні eAVac 4c. За найменшої концентрації атомів Zr відбувається металізація та зміна типу провідності Lu1-xZrxNiSb з р- на n-тип. Результати моделювання узгоджуються з експериментальними дослідженнями Lu1-xZrxNiSb. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/12959 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 23, № 3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
5624-Текст статті-17840-1-10-20220910.pdf | 1.25 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.