Рентгенофотоелектронні дослідження лазерно-індукованих структурних змін у наношарах As50Se50

Abstract

Методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (РФС) досліджено вплив лазерного опромінення з енергією, близькою до ширини забороненої зони, на структуру тонких плівок As50Se50. Виявлено суттєві відмінності у формах й енергетичному положенні фотоемісійних піків As 3d та Se 3d в аморфних та опромінених лазером плівках As50Se50. Обробка експериментальних даних здійснювалася шляхом розбивки піків на компоненти, ідентифікації компонент та визначення їх характеристик. Детально проаналізовано й обговорено відносний вміст різних хімічних станів атомів миш’яку і селену у цілому фотоемісійному сигналі, їх відношення до різних структурних одиниць в аморфних і опромінених лазером зразках.