Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/13393
Назва: Процеси оствальдівського дозрівання і гаусіани у розподілі висот наноструктур PbTe/(0001) слюда
Інші назви: Processes Ostvald’s Maturation and Gaussians in the Heights Distribution of Nanostructures PbTe/(0001) Mica
Автори: Бачук, Василь Васильович
Ключові слова: наноструктури
телурид свинцю
розподіл Гаусса
оствальдівське дозрівання
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Бачук В. В. Процеси оствальдівського дозрівання і гаусіани у розподілі висот наноструктур PbTe/(0001) слюда / В. В. Бачук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 88-93.
Короткий огляд (реферат): На основі АСМ-досліджень наноструктур PbTe,осаджених парофазними методами за різних технологічних факторів на сколи (0001) слюди-мусковіт отримано гістограми їх розподілу за висотою, які апроксимовано функціями Гаусса. У рамках моделі оствальдівського дозрівання визначено механізми їх росту. Показано, що для досліджуваних технологічних факторів домінує електронний механізм, пов’язаний із утворенням хімічних зв’язків.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/13393
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1301-15.pdf257.53 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.