DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/13718| Назва: | Термоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтервалі |
| Інші назви: | Thermoelectricity of Doped Crystals PbTe:Bi(Sb) in a Wide Temperature Range |
| Автори: | Дзумедзей, Роман Олексійович Никируй, Любомир Іванович Бандура, Юлія Володимирівна Гевак, Тетяна Петрівна |
| Ключові слова: | телурид свинцю термоелектричні коефіцієнти термоелектрична добротність легування |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Дзумедзей Р. О. Термоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтервалі / Р. О. Дзумедзей, Л. І. Никируй, Ю. В. Бандура, Т. П. Гевак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 230-233. |
| Короткий огляд (реферат): | Розраховано термоелектричні коефіцієнти для PbTe:Sb та PbTe:Ві у температурному інтервалі (77- 800) К. Встановлено характер поведінки безрозмірної термоелектричної добротності залежно від вмісту домішки ((1, 1.5 та 2) ат. % Sb і (0.25, 0.5, 1 та 2) ат. % Ві). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту на безрозмірну термоелектричну добротність кристалічного плюмбум телуриду. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/13718 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1301-38.pdf | 149.96 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.