Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/13791
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorТуровська, Лілія Вадимівна-
dc.contributor.authorБойчук, Володимира Михайлівна-
dc.contributor.authorГорічок, Ігор Володимирович-
dc.date.accessioned2022-11-25T12:47:59Z-
dc.date.available2022-11-25T12:47:59Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationФреїк Д. М., Туровська Л. В., Бойчук В. М., Горічок І. В. Дефектна підсистема і кристалохемічна модель амфотерної дії атомів Стибію у кристалах плюмбум телуриду PbTe:Sb // Вісник Прикарпатського національного університету. Серія: Хімія. – 2011. – Вип. 13. – C.89 – 96.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13791-
dc.description.abstractЗапропонована кристалохемічна модель точкових дефектів у легованих атомами Стибію кристалах плюмбум телуриду з урахуванням амфотерної дії домішки (Sb+Pb, Sb-Tе). Визначено значення величини диспропорціонування зарядового стану домішки та її вплив на зміну типу провідности. На основі запропонованих кристалоквазіхемічних формул розраховано залежности концентрації точкових дефектів, холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту домішки.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectплюмбум телуридuk_UA
dc.subjectСтибійuk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectкристалоквазіхемічні формулиuk_UA
dc.titleДефектна підсистема і кристалохемічна модель амфотерної дії атомів Стибію у кристалах плюмбум телуриду PbTe:Sbuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:№ 13

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Д.М. Фреїк, Л.В. Туровська, В.М. Бойчук, І.В. Горічок С.89-96.pdf649.58 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.