Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/13882
Title: Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки
Other Titles: Investigation of Ga-In Contacts to Si, Ge and SiGe Wires for Sensor Application
Authors: Дружинін, Анатолій Олександрович
Ховерко, Юрій Миколайович
Островський, Ігор Петрович
Нічкало, Степан Ігорович
Ніколаєва, А. А.
Конопко, Л. А.
Стич, І.
Keywords: магнітне поле
сенсорна техніка
Issue Date: 2012
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Дружинін А. А. Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки / А. А. Дружинін, Ю. М. Ховерко, I. П. Островський, С. І. Нічкало, А. А. Ніколаєва, Л. А. Конопко, І. Стич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 269-272.
Abstract: Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро-і нанодротів досліджувалися в температурному діапазоні 4,2 – 300 К в магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи були створені для дротів і досліджені омічні характеристики I-U на всьому температурному діапазоні. Було встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7%), а також високий магнітоопір (близько 250% при 14 Тл), що було використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги і напруженості магнітного поля.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/13882
Appears in Collections:Т. 13, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1301-44.pdf202.17 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.