Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/13882
Назва: Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки
Інші назви: Investigation of Ga-In Contacts to Si, Ge and SiGe Wires for Sensor Application
Автори: Дружинін, Анатолій Олександрович
Ховерко, Юрій Миколайович
Островський, Ігор Петрович
Нічкало, Степан Ігорович
Ніколаєва, А. А.
Конопко, Л. А.
Стич, І.
Ключові слова: магнітне поле
сенсорна техніка
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Дружинін А. А. Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки / А. А. Дружинін, Ю. М. Ховерко, I. П. Островський, С. І. Нічкало, А. А. Ніколаєва, Л. А. Конопко, І. Стич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 269-272.
Короткий огляд (реферат): Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро-і нанодротів досліджувалися в температурному діапазоні 4,2 – 300 К в магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи були створені для дротів і досліджені омічні характеристики I-U на всьому температурному діапазоні. Було встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7%), а також високий магнітоопір (близько 250% при 14 Тл), що було використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги і напруженості магнітного поля.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/13882
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1301-44.pdf202.17 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.