Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/13882
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДружинін, Анатолій Олександрович-
dc.contributor.authorХоверко, Юрій Миколайович-
dc.contributor.authorОстровський, Ігор Петрович-
dc.contributor.authorНічкало, Степан Ігорович-
dc.contributor.authorНіколаєва, А. А.-
dc.contributor.authorКонопко, Л. А.-
dc.contributor.authorСтич, І.-
dc.date.accessioned2022-11-30T08:13:43Z-
dc.date.available2022-11-30T08:13:43Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationДружинін А. А. Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки / А. А. Дружинін, Ю. М. Ховерко, I. П. Островський, С. І. Нічкало, А. А. Ніколаєва, Л. А. Конопко, І. Стич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 269-272.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13882-
dc.description.abstractОпір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро-і нанодротів досліджувалися в температурному діапазоні 4,2 – 300 К в магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи були створені для дротів і досліджені омічні характеристики I-U на всьому температурному діапазоні. Було встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7%), а також високий магнітоопір (близько 250% при 14 Тл), що було використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги і напруженості магнітного поля.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectмагнітне полеuk_UA
dc.subjectсенсорна технікаuk_UA
dc.titleДослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної технікиuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of Ga-In Contacts to Si, Ge and SiGe Wires for Sensor Applicationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1301-44.pdf202.17 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.