Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/14490
Назва: Вплив деформацій на одноелектронні стани в молекулі, утвореній із трьох квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
Інші назви: The influence of deformations on single electron states in a molecule formed from three quantum dots of the heterosystem InAs/GaAs
Автори: Гольський, Віталій Богданович
Лешко, Роман Ярославович
Ключові слова: три квантові точки
квантова молекула
деформація
Дата публікації: 2022
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Гольський В. Б. Вплив деформацій на одноелектронні стани в молекулі, утвореній із трьох квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. Б. Гольський, Р. Я. Лешко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 4. - С. 686-692.
Короткий огляд (реферат): Досліджено молекулу з трьох квантових точок, що своїми центрами утворюють трикутник гетеросистеми InAs/GaAs. Проведено чисельний розрахунок енергетичного спектра електрона в молекулі, що утворена з трьох квантових точок сферичної форми. Досліджено вплив деформацій на енергію електрона в залежності від величини нанокристалів, відстані між ними та симетрії квантової молекули. Розглянуто випадок симетрії рівностороннього та рівнобедреного трикутника.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/14490
Розташовується у зібраннях:Т. 23, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
6196-Текст статті-18616-2-10-20221218.pdf938.33 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.