Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/14898
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorМарчук, С. М.-
dc.contributor.authorВозняк, Юрій Володимирович-
dc.contributor.authorСорохтей, Тарас Романович-
dc.date.accessioned2023-01-23T09:51:42Z-
dc.date.available2023-01-23T09:51:42Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах арсеніду галію / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, Ю. В. Возняк, Т. Р. Сорохтей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 482-487.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/14898-
dc.description.abstractВ кремнієвій технології формування структур ВІС для зміни ефективної дії гетера кількісною характеристикою-параметром визначений ріст часу життя неосновних носіїв заряду [1]. Це відповідно дозволяє прирівнювати по дії також кількісний характер, за допомогою якого можна оцінювати ефективність дії гетерних технологій по відношенню до арсеніду галію. Таким параметром вибрана холлівська рухливість носіїв заряду. Дані дослідження є особливо актуальними сьогодні при визначенні технології формування самосумісних К-МОН-структур на епітаксійному арсеніді галію.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтехнологічний процесuk_UA
dc.subjectхоллівська рухливістьuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectхоллотронuk_UA
dc.titleДослідження ефективності гетерних технологій в структурах арсеніду галіюuk_UA
dc.title.alternativeThe Efficacy Hetero Technologies in the Structures of Gallium Arsenideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1302-34.pdf336.46 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.