Особливості спектрів термостимульованої деполяризації рентгеноопромінених структур Si-SiO2

Abstract

Досліджено закономірності спектрів термостимульованої деполяризації (ТСД) вихідних та рентгеноопромінених структур Si - SiO2. Експериментальні криві j(T) демонструють два характерних максимуми в області 360 (НТ- ) та 450 К (ВТ- максимум). На основі розв’язків інтегрального рівняння Фредгольма І-го роду, що описує експериментальні спектри ТСД, розраховано енергетичний спектр густини станів дефектів, які формують електретний стан в області характерних максимумів j(T). Оцінено енергії активації та частотні фактори відповідних дефектів. Інтерпретацію результатів виконано з використанням моделі класичних іонних пасток на міжфазній границі Si - SiO2 та враховуючи механізми об’ємного транспорту іонів (H+, Na+) в структурній сітці SiO2.