DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15145| Title: | Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем |
| Other Titles: | Comparative Analysis of Current Silicon Technology and Gallium Arsenide Submicron Structures of High-Speed Digital Large Integrated Circuits |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Кіндрат, Т. П. Сорохтей, Тарас Романович Возняк, Володимирович |
| Keywords: | топологія швидкодія технологічний процес НВІС |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, Т. П. Кіндрат, Т. Р. Сорохтей, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 808-815. |
| Abstract: | В даній статті показані тенденції і перспективи розвитку розробок транзисторних структур (ТС) для промислового виготовлення конкурентних кремнієвих та арсенідгалієвих швидкісних цифрових ВІС – елементно-технологічної та конструкторської бази засобів обчислювальної техніки (ЗОТ). В даній статті висвітлюються унікальні властивості як кремнієвої, так і арсенідгалієвої субмікронних технологій та можливості їх суміщення. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/15145 |
| Appears in Collections: | Т. 13, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| !1303-41.pdf | 223.37 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.