Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15317
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕліяшевський, Юрій Ігорович-
dc.contributor.authorТурко, Борис Ігорович-
dc.contributor.authorКапустяник, Володимир Богданович-
dc.contributor.authorКрегель, О. П.-
dc.date.accessioned2023-02-20T08:16:14Z-
dc.date.available2023-02-20T08:16:14Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationЕліяшевський Ю. І. Діелектрична дисперсія наноструктурованих полікристалічних плівок оксиду цинку / Ю. І. Еліяшевський, Б. І. Турко, В. Б. Капустяник, О. П. Крегель // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 927-933.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15317-
dc.description.abstractПроведено дослідження діелектричних властивостей полікристалічних плівок оксиду цинку у широкому діапазоні частот і температур з врахуванням впливу на них технологічних факторів. Досліджено низькочастотний та високочастотний діелектричний релаксаційний процес в наноструктурованих плівках ZnO. Встановлено, що ефекти поляризації на низьких частотах зумовлені об’ємнозарядною поляризацією на границях зерен плівок, які стають електрично активними через високу, порівняно з монокристалами, концентрацію дефектів. Високочастотний діелектричний релаксаційний процес пов'язано з процесом теплової поляризації, в який залучені електрони, локалізовані на кисневих вакансіях.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectнанокристалітиuk_UA
dc.subjectоксид цинкуuk_UA
dc.subjectтонкі плівкиuk_UA
dc.subjectдіелектрична проникністьuk_UA
dc.titleДіелектрична дисперсія наноструктурованих полікристалічних плівок оксиду цинкуuk_UA
dc.title.alternativeDielectric Dispersion of The Nanostructured Polycrystalline Zinc Oxide Filmsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-14.pdf692.66 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.