1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15338
Назва: Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів
Інші назви: Enthalpy of Formation of Impurity-Vacancy Complexes in the Crystals of Compounds A4B6
Автори: Юрчишин, Любов Дмитрівна
Ключові слова: легування
бінарні напівпровідники
комплекси точкових дефектів
ентальпія утворення комплексів
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Юрчишин Л. Д. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів / Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 974-976.
Короткий огляд (реферат): Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів GeTe, PbTe легованих елементами третьої (Ga, In, Tl), п’ятої (Sb, Bi) та сьомої (Cl, Br, I) груп Періодичної таблиці. На основі отриманих результатів здійснено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах сполук А4В6.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/15338
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1304-22.pdf113.62 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.