Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів

Юрчишин, Любов Дмитрівна

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15338

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Юрчишин, Любов Дмитрівна	-
dc.date.accessioned	2023-02-21T10:01:30Z	-
dc.date.available	2023-02-21T10:01:30Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Юрчишин Л. Д. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів / Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 974-976.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/15338	-
dc.description.abstract	Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з домішкового атома заміщення та вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів GeTe, PbTe легованих елементами третьої (Ga, In, Tl), п’ятої (Sb, Bi) та сьомої (Cl, Br, I) груп Періодичної таблиці. На основі отриманих результатів здійснено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах сполук А4В6.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.publisher	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"	uk_UA
dc.subject	легування	uk_UA
dc.subject	бінарні напівпровідники	uk_UA
dc.subject	комплекси точкових дефектів	uk_UA
dc.subject	ентальпія утворення комплексів	uk_UA
dc.title	Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах германій і плюмбум телуридів	uk_UA
dc.title.alternative	Enthalpy of Formation of Impurity-Vacancy Complexes in the Crystals of Compounds A4B6	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т. 13, № 4

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
1304-22.pdf		113.62 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets