1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15395
Назва: Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу
Інші назви: Computer Simulation of Conditions of Crystallization Plane front Formation in the Process of Growth of Thermoelectrical Material
Автори: Струтинська, Л. Т.
Жихаревич, Володимир Вікторович
Ключові слова: плоский фронт
комп’ютерне моделювання
клітинно-автоматні алгоритми
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Струтинська Л. Т. Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу / Л. Т. Струтинська, В. В. Жихаревич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1041-1046.
Короткий огляд (реферат): У статті наведено аналіз впливу умов вирощування термоелектричного матеріалу на формування плоского фронту кристалізації. Наведено результати комп'ютерного моделювання процесу росту з використанням теорії асинхронних клітинних автоматів. На основі побудованих моделей теплофізичних процесів в рідкій і твердій фазах визначені оптимальні кінетичні, термічні та кількісні умови росту однорідних термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/15395
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1304-35.pdf317.9 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.