Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15395
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСтрутинська, Л. Т.-
dc.contributor.authorЖихаревич, Володимир Вікторович-
dc.date.accessioned2023-02-27T09:52:56Z-
dc.date.available2023-02-27T09:52:56Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationСтрутинська Л. Т. Комп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалу / Л. Т. Струтинська, В. В. Жихаревич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1041-1046.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15395-
dc.description.abstractУ статті наведено аналіз впливу умов вирощування термоелектричного матеріалу на формування плоского фронту кристалізації. Наведено результати комп'ютерного моделювання процесу росту з використанням теорії асинхронних клітинних автоматів. На основі побудованих моделей теплофізичних процесів в рідкій і твердій фазах визначені оптимальні кінетичні, термічні та кількісні умови росту однорідних термоелектричних матеріалів на основі Ві2Те3.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectплоский фронтuk_UA
dc.subjectкомп’ютерне моделюванняuk_UA
dc.subjectклітинно-автоматні алгоритмиuk_UA
dc.titleКомп'ютерне моделювання умов формування плоского фронту кристалізації в процесі вирощування термоелектричного матеріалуuk_UA
dc.title.alternativeComputer Simulation of Conditions of Crystallization Plane front Formation in the Process of Growth of Thermoelectrical Materialuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1304-35.pdf317.9 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.